摘要
新思科技宣布与IBM携手,将设计与工艺联合优化应用于针对后FinFET工艺的新一代半导体工艺技术.DTCO通过采用设计指标,在晶圆生产之前的早期探路阶段就能够有效评估并缩小范围选择出新的晶体管架构、材料和其他工艺技术创新.本次合作将当前新思科技DTCO工具流程扩展到新的晶体管架构和其他技术选项中,帮助IBM为其合作伙伴开发早期工艺设计套件（PDK）,让他们能够评估确定IBM先进节点带来的功耗、性能、面积和成本（PPAC）优势.
出处
《电子制作》
2018年第19期53-53,共1页
Practical Electronics
