期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
MOCVD设备与现代MOCVD技术研究
被引量:
2
下载PDF
职称材料
导出
摘要
MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能电池、半导体激光器、LED等。现有的MOCVD设备主要依赖进口,成本较高,因此MOCVD设备的研究对国防高端技术、新能源领域都很有必要。文章简单分析了MOCVD设备以及MOCVD技术。
作者
许坚强
机构地区
厦门市三安光电科技有限公司
出处
《山东工业技术》
2018年第22期127-127,119,共2页
Journal of Shandong Industrial Technology
关键词
MOCVD设备
MOCVD技术
反应腔
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
2
参考文献
1
共引文献
22
同被引文献
7
引证文献
2
二级引证文献
0
参考文献
1
1
文尚胜,廖常俊,范广涵,刘颂豪,邓云龙,张国东.
现代MOCVD技术的发展与展望[J]
.华南师范大学学报(自然科学版),1999,31(3):99-107.
被引量:23
二级参考文献
2
1
廖常俊,李春吉,黄钊洪,刘颂豪.
发展MOCVD技术制造LED芯片[J]
.激光与红外,1995,25(4):18-20.
被引量:4
2
张万生,梁春广.
可见光LED的进展——发展趋势及蓝色LED(一)[J]
.半导体情报,1997,34(3):1-9.
被引量:9
共引文献
22
1
陈霖,何莉萍,赖琼林,李仲英,陈宗璋.
纳米氧化铬制备方法及其进展[J]
.材料导报,2005,19(F11):144-146.
被引量:1
2
黄剑锋,马小波,曹丽云,夏昌奎,陈东旭,荔亮亮,刘勇.
SmS光学薄膜研究新进展[J]
.材料导报,2006,20(9):9-12.
被引量:1
3
黄军荣,过润秋.
WinCC在MOCVD系统中的应用[J]
.自动化与仪表,2007,22(1):57-59.
4
王涛,高爱华,张伟.
MOCVD系统的气体流量自动控制研究[J]
.电脑开发与应用,2007,20(3):2-3.
5
过润秋,陈贤能.
基于PLC的MOCVD控制系统设计[J]
.微计算机信息,2007,23(05S):25-27.
被引量:3
6
胡晓宇,何华云,王慧勇.
MOCVD工艺中源材料用量计算方法[J]
.电子工业专用设备,2007,36(10):56-60.
被引量:1
7
王涛,高爱华,张伟.
MOCVD系统的气体流量自动控制研究[J]
.真空电子技术,2007,20(1):56-58.
被引量:1
8
敬通国,高磊,徐亚新,程崛,王锡彬,薛炎,熊杰,陶伯万.
单源进液金属有机化学气相沉积法工作气压对YBCO薄膜制备的影响研究[J]
.低温与超导,2012,40(4):23-26.
被引量:1
9
关国坚,甘志银.
基于红外测温法的MOCVD工艺温度分析[J]
.计量与测试技术,2012,39(4):18-19.
被引量:2
10
陈高芳,胡昌义,谌喜珠,叶青松,刘伟平,常桥稳.
双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)的合成及其晶体结构[J]
.贵金属,2012,33(2):48-51.
同被引文献
7
1
谭英杰,韩国有,董喜贵.
抽油杆电涡流自动检测台设计[J]
.油气田地面工程,2008,27(12):34-36.
被引量:3
2
胡兴军.
LED MOCVD设备的市场现状及其国产化问题分析[J]
.电源技术应用,2011,14(7):68-71.
被引量:2
3
王雪莹.
MOCVD装备技术及产业发展分析[J]
.中国高新技术企业,2013(3):1-3.
被引量:2
4
徐龙权,方颂,唐子涵,刘新卫.
MOCVD反应室温度均匀性的研究[J]
.发光学报,2017,38(2):220-225.
被引量:6
5
严剑刚,高鸣,罗俊.
涡流技术在钨杆自动检测中的应用[J]
.无损检测,2018,40(6):6-8.
被引量:4
6
李彦丽.
MOCVD的原理与故障分析[J]
.电子工业专用设备,2014,43(11):36-40.
被引量:1
7
宋健,张清旭.
MOCVD系统检漏技术[J]
.设备管理与维修,2019,0(17):110-111.
被引量:2
引证文献
2
1
牛琛辉,黄鑫,任树贵,安向鹏.
阶梯轴部件自动涡流检测系统设计及试验[J]
.物理测试,2023,41(5):41-45.
2
朱亮.
MOCVD工艺腔体PM后调机率的改善方法[J]
.仪器与设备,2021,9(3):55-62.
1
吴清清,闫建昌,张亮,陈翔,魏同波,李杨,刘志强,魏学成,王军喜,李晋闽.
六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文)[J]
.光子学报,2017,46(11):56-61.
2
陆佳伟,慎金花,张更平,杨锋.
基于领域本体的专利技术-功效文本挖掘方法——以MOCVD技术为例[J]
.价值工程,2018,37(2):245-248.
被引量:4
3
张道银,程泰平.
金属有机化学汽相淀积技术[J]
.半导体光电,1987,9(2).
4
郑洁,褚月乔,李令斌.
Fe3N薄膜研究进展、制备及基本结构[J]
.中国科技纵横,2017,0(16):251-252.
5
邱岳,丁杰,张建立,莫春兰,王小兰,徐龙权,吴小明,王光绪,刘军林,江风益.
量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响[J]
.发光学报,2018,39(7):961-967.
6
王莹.
专访广州致远电子有限公司常务副总李佰华女士 本土仪器迎来机会,致远电子用新能源测试换道超车[J]
.电子产品世界,2018,25(9):1-3.
7
吕元杰,宋旭波,何泽召,谭鑫,周幸叶,王元刚,顾国栋,冯志红.
基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究[J]
.无机材料学报,2018,33(9):976-980.
8
田秀伟,马春雷,刘沛,韩婷婷,宋旭波,吕元杰.
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制[J]
.半导体技术,2018,43(10):740-744.
山东工业技术
2018年 第22期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部