力旺电子Neo MTP硅知识产权布局TowerJazz BCD工艺技术

为满足无线充电和USBTypeC客户的需求，力旺电子日前宣布其嵌人式可多次编写内存硅知识产权NeoMTP已于Towerjazz0．18μmBCD工艺平台完成可靠度验证，即日起可供使用。除了NeoMTP外，力旺也宣布近日会与TowerJazz合作，在65nm5VRFCMOS工艺开发可一次编写内存硅知识产权NeoBit设计，以满足RF和5G等通讯应用的需求。