通过衬板加热控制Ge2Sb2Te5热电薄膜的结构

Athorn Vora-ud等人采用脉冲直流磁控管溅射法，以最佳等离子条件（脉冲频率和脉冲反向时间）制备Ge2Sb2Te5薄膜，系统地研究250-450℃温度范围内衬板温度对沉积薄膜微结构、形貌、原子组成、载流子浓度和移动性及塞贝克系数的影响。研究结果表明，要得到立方结构薄膜，就必须对衬板进行加热。