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宽光谱窄带隙太阳电池微晶锗孵化层制备研究
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摘要
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。
作者
曹丽冉
张媛
机构地区
国家知识产权局专利局专利审查天津中心
出处
《科学技术创新》
2018年第27期32-33,共2页
Scientific and Technological Innovation
关键词
微晶锗
窄带隙
太阳电池
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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