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Towards high-mobility In2xGa2-2xO3 nanowire field-effecttransistors 被引量:1

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出处 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期5935-5945,共11页 纳米研究(英文版)
基金 We acknowledge the General Research Fund (No. CityU 11275916) and the Theme-based Research Scheme (No. T42-103/16-N) of the Research Grants Council of Hong Kong SAR, China, the National Natural Science Foundation of China (Nos. 51672229 and 61605024), the Science Technology and Innovation Committee of Shenzhen Municipality (No. JCYJ20160229165240684) and a grant from the Shenzhen Research Institute, City University of Hong Kong.
分类号 O [理学]
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