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Bandgap broadening at grain boundaries in single-layer MoS2 被引量:1

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出处 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期6102-6109,共8页 纳米研究(英文版)
基金 We thank Sokrates T. Pantelides and Min Ouyang for their constructive suggestions. Financial support from the National Key Research & Development Projects (Nos. 2016YFA0300904 and 2016YFA0202300), the National Basics Research Program (Nos. 2013CB934500 and 2013CBA01600), and the National Natural Science Foundation of China (Nos. 51661135026, 61390501, 61390503, and 61325021) is gratefully acknowledged.
分类号 O [理学]
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