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在45°取向切割的BaTiO_3晶体中获得的增强光折变效应

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摘要 光折变晶体BaTiO<sub>3</sub>由于其极大的增益系数是极有前景的应用材料之一。但目前采用的晶体都是垂直于光轴C正常切割(0°切割),其原因是易于反复极化、抛光,以获得高质量的单畴晶体。然而理论分析证明,如果把晶体入射面按与C轴45°方向切割(45°切割),可预期得到高至Γ=36cm<sup>-1</sup>的指数增益系数。由于在这种切割的晶体中,光束只要垂直入射便可得最大耦合强度,因此克服了0°切割晶体掠入射造成的光斑畸变。
出处 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期7-7,共1页 Chinese Journal of Quantum Electronics
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