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GaAs中对撞光致载流子光栅引起的能量转移和脉冲形变

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摘要 GaAs中光致载流子光栅引起的瞬态能量转移是光放大,光开关等研究的基础,Smirt等人对光栅沿平行GaAs表面方向形成的情况进行了广泛而深刻的理论和实验研究,并认为两强度相同的脉冲间不存在能量转移。本文研究了光栅沿通光方向形成的光对撞光致光栅引起的能量转移和由此以及光自衍射引起的脉冲形变,给出了光栅自衍射的普适公式,理论计算了这些过程,得到了相同强度光脉冲间的能量转移,获得了与预计一致的脉冲形变。
出处 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期75-76,共2页 Chinese Journal of Quantum Electronics
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