期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

下载PDF

导出

摘要以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值.

出处《河南科技》 2018年第26期4-4,共1页 Henan Science and Technology

关键词第三代半导体材料半导体器件评价技术大功率电子器件制备微电子领域击穿电场高热导率

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1韩润龙.第三代半导体材料SiC平坦化技术的研究现状[J].当代化工研究,2018(11):73-75. 被引量：4
2王文斌.GaN功率放大器测试方法及结果[J].中国集成电路,2018,27(6):77-83.
3韦武,王佳宁.基于GaN的高频Boost PFC整流器设计[J].电力电子技术,2018,52(11):104-107. 被引量：1
4金鑫,张鸿超,李永卿,王群.复合烧结助剂对氮化铝陶瓷介电性能的影响[J].安全与电磁兼容,2018(5):30-33. 被引量：2
5傅松威,郑一钊,陈振族.电动汽车锂电池的综合探讨[J].南方农机,2018,49(22):70-70. 被引量：1
6陈丽敏,索相波,王安哲,张政军.ZrB2基超高温陶瓷材料抗热震性能及热震失效机制研究进展[J].硅酸盐学报,2018,46(9):1235-1243. 被引量：9
7Jun-Tian Tan,Shu-Fang Zhang,Ming-Can Qian,Hai-Jun Luo,Fang Wu,Xing-Ming Long,Liang Fang,Da-Peng Wei,Bao-Shan Hu.Effect of graphene/ZnO hybrid transparent electrode on characteristics of GaN light-emitting diodes[J].Chinese Physics B,2018,27(11):552-558. 被引量：1
8王航,宋歌,刘永建,谢万福.自噬标志物LC3B表达水平的改变与星形细胞瘤手术患者预后的相关性研究[J].卒中与神经疾病,2018,25(5):572-575. 被引量：1
9TI扩充电源产品线尺寸更小、功率更高[J].电子质量,2018,0(11):51-51.
10徐锟,刘志红,何沐全,张娟.成都市夏季近地面臭氧污染气象特征[J].中国环境监测,2018,34(5):36-45. 被引量：48

河南科技

2018年第26期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部