SiC一维纳米材料的量产化连续制备及相关应用研究进展

随着科技的飞速发展，各类电子元器件正向着小型化、智能化、高集成、高密度存储和超快传输的方向发展，受量子效应、小尺寸效应等的影响，SiC一维纳米材料作为第三代宽带隙半导体功能纳米材料，除具有块体SiC所具有的高临界击穿电场、热导率、电子饱和迁移率、抗辐射特性及优异的机械性能外，还显现出许多特殊的光、电、热、磁和力学等性能，可以用来制造各种高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件。