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A Novel GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure of Modulation—Doped Field—Effect Transistors with High Transconductances

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出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2002年第4期588-590,共3页 中国物理快报(英文版)
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参考文献5

  • 1Chao P C, Ho P, K Duh H G et al 1990 Electron. Lett 26 27
  • 2Tan K L, Dia P M, Streit D C et al 1991 IEEE Electron Devive Lett. 12 23
  • 3Huang J C , Saledas P, Wendler J et al 1993 IEEE Electron Device Lett 14 456
  • 4Ao J P, Zeng Q M, Zhao Y L, Li X J et al 2000 Chin.Phys. Lett. 17 619
  • 5Lugli P, Paciotti M, Calleja E et al 1996 Paeudomorphic HEMT Technology and Applications ed Ross R L (New York: Kluwer Academic) p 141

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