SiC肖特基二极管
出处
《现代材料动态》
2002年第9期8-8,共1页
Information of Advanced Materials
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1赵斌,秦海鸿,马策宇,袁源,钟志远.SiC功率器件的开关特性探究[J].电工电能新技术,2014,33(3):18-22. 被引量：25
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2郑欣,潘振国,秦明,陈妮.SiC肖特基二极管在开关电源中的应用[J].长江大学学报（自科版）（上旬）,2006,3(3):87-88.
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3英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管[J].中国集成电路,2010,19(6):88-88.
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4APT发布CoolMOS和SiC肖特基二极管功率模块[J].电子产品世界,2004,11(03B):99-99.
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5殷丽,王传敏.超低导通电阻RON的SiC沟槽器件[J].电力电子,2012(5):49-52. 被引量：2
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6陈裕权.首只10kV 4H-SiC肖特基二极管问世[J].半导体信息,2003,0(6):21-22.
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7倪炜江.3300 V-10 A SiC肖特基二极管[J].半导体技术,2014,39(11):822-825. 被引量：1
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8钟德刚,徐静平,张旭,喻骞宇,刘志波,于军.基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟[J].电子元件与材料,2002,21(4):6-8.
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9袁源,王耀洲,谢畅,秦海鸿.一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管[J].电子器件,2015,38(5):976-979.
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10Volker Demuth.电力电子中的碳化硅(SiC)[J].电源世界,2014,0(10):35-39. 被引量：2
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