契赫拉尔斯基法生长稀土镓柘榴石

以铱坩埚作容器,用契赫拉尔斯基法生长了Gd_3Ga_5O_(12),Nb_3-Ga_5O_(12)和其它稀土镓柘榴石,发现这类材料的最佳生长速度在每分45转时为每小时6毫米,转速显著地影响到晶体质量。为了消除由于在生长界面上形成(211)小平面的“岩芯”,需要高的转速。除纯稀土镓柘榴石外,还生长了固溶体Gd_3Ga_5O_(12)-Dy_3Ga_5O_(12),Sm_3Ga_5O_(12)-Nd_3Ga_5O_(12)和Sm_3Ga_5O_(12)-Gd_3Ga_5O_(12)等单晶。所有固溶体的分布系数均近于一。故在此晶体中仅能看到点阵常数微小的变化。在所考虑的固溶体生长过程中,组份过冷是一严重问题。但调整晶体生长速度已相当地改进了固溶体单晶。