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助熔剂法生长大尺寸YIG单晶

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摘要 据美国“陶磁工业”1967年第5期刊登一文宣称,他制备了“王牌尺寸YIG单晶”,长度为一英寸,使用助熔剂法,在冷却熔化溶液中,慢慢地形成自发核化,晶核数要尽量地少,以避免生长很多小晶体,所得单晶没有包杂和裂缝,质量高体积大。其YIG小球制备工艺如下:
出处 《磁性材料及器件》 CAS 1972年第2期60-60,共1页 Journal of Magnetic Materials and Devices
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