期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
双极晶体管总剂量辐射失效概率
下载PDF
职称材料
导出
摘要
为了研究器件辐射回固性能的评估方法,对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C(每种100只)做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验测得的失效分布曲线取决于失效判据。根据PF和D的关系曲线,就可得到三种双极晶体管任意总剂量下的失效概率。它可用于电子线路总剂量辐射下生存概率的评估。
作者
陈盘训
谢泽元
机构地区
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《电子技术参考》
2002年第2期1-4,8,共5页
关键词
辐射
双极晶体管
总剂量
失效判据
失效概率
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
张华林,陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,何承发,艾尔肯,崔帅.
双极晶体管的低剂量率电离辐射效应[J]
.Journal of Semiconductors,2004,25(12):1675-1679.
被引量:20
2
何宝平,姚育娟,彭宏论,张正选,姜景和.
温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响[J]
.微电子学,2000,30(3):179-181.
3
林加木,丁瑞军,陈洪雷,沈晓,刘非.
红外焦平面读出电路辐射特性研究[J]
.激光与红外,2009,39(8):868-871.
被引量:1
4
葛长伟,孙麒.
中国3G计费模式:因循旧制? 新掘金主义? 用户第一?[J]
.移动通信,2009(13):36-37.
被引量:1
5
杨周炳,孟凡宝,马弘舸,谢敏,陆巍,陈志刚,冯宗明,廖勇.
高功率超宽带脉冲辐射实验装置研制[J]
.强激光与粒子束,2005,17(8):1180-1182.
被引量:20
6
胡浴红,赵元富,王英民.
辐射加固54HC系列集成电路的研制[J]
.半导体技术,1999,24(2):40-42.
7
张正选,何宝平,罗晋生,袁仁峰.
不同剂量率LC54HC04RH电路的电离辐射效应[J]
.固体电子学研究与进展,2000,20(4):439-443.
被引量:2
8
周彦平,谢小龙,刘洋,靳浩,于思源.
CMOS图像传感器电子辐照实验的研究[J]
.红外与激光工程,2016,45(5):95-99.
被引量:7
9
陈盘训,谢泽元.
双极晶体管总剂量辐射失效概率[J]
.中国核科技报告,2002(1):34-40.
被引量:1
10
周彦平,王晓明,常国龙,汪黎黎.
CMOS图像传感器的辐射实验[J]
.红外与激光工程,2011,40(7):1270-1273.
被引量:19
电子技术参考
2002年 第2期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部