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IR2101带有欠压封锁的半桥MOSFET驱动器 被引量:3

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摘要 本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个MOSFET或IGBT而生产的高压高速驱动器,文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数,剖析了它的内部结构及工作原理,探讨了它的应用技术,并给出了应用实例。
作者 张奇志
机构地区 西安石油学院
出处 《集成电路应用》 2002年第5期64-65,58,共3页 Application of IC
  • 相关文献

参考文献1

  • 1李宏.实用GTR、MOSFET及IGBT驱动器集成电路使用技术[M].中国电工技术学会、电力电子学会、中国电源学会特种电源专业委员会,1999,2..

共引文献2

同被引文献18

引证文献3

二级引证文献6

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