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等离子体浸没离子注入圆筒内表面的时空尺度

Dimension effects in plasma immersion ion implantation of cylindrical bore
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摘要 等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在一定的电压范围内实现。在典型的外表面注入工艺条件下 ,内表面离子的耗尽速度是惊人的。如在对于直径 2 0cm的圆筒在 30kV、2× 10 15ions/cm3的条件下 ,等离子体耗尽时间仅为 0 .5 5 μs ,这个时间甚至小于多数脉冲电源的上升沿时间。结果表明 ,内部等离子体源的硬件结构可能是一种有效的解决方法。 Plasma immersion ion implantation is a new technique pertaining to ion implantation. Different from the case of exterior surface treatment, plasma immersion ion implantation of interior surface possesses dimension effects. Consequently it is a challenge to implant the inner wall of a cylindrical bore due to this finite dimension. The ion energy cannot be linearly changed with applied voltage and there exists a saturation value due to overlap effect of plasma sheath. The plasma in the bore may rapidly be depleted, which is attributed to finite plasma volume and plasma-sheath conflowing effect. For instance the plasma depletion time is about 0.55 μs when a bore with a diameter of 20cm is treated under conditions of applied voltage of 30kV and plasma density of 2×10 15 ions/cm 3. Interior plasma-source hardware may be an effective solution.
机构地区 香港城市大学
出处 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期709-713,共5页 Nuclear Techniques
关键词 时空尺度 等离子体浸没离子注入 尺度效应 圆筒内表面 表面改性 Inner surface, Plasma immersion ion implantation, Dimension effects
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参考文献10

  • 1[1]Conrad J R, Radtke J L, Dodd R A, et al. J Appl Phys, 1987, 62:4591-4596
  • 2[2]Sun M, Yang S Z, Li B, et al. J Vac Sci Technol, 1996, A12:367-369
  • 3[3]Zeng X C, Kwok T K, Liu A G, et al. Appl Phys Lett, 1998, 71:1035-1037
  • 4[4]Liu A G, Wang X F, Chen Q C, et al. Nucl Instr Meth, 1998, B143:306-310
  • 5[5]Sheridan T E. J Appl Phys, 1993, 74:4903-4096
  • 6[6]Sheridan T E. J Appl Phys, 1996, 80:66-69
  • 7[7]Sheridan T E, Phys Plasmas, 1996, 3:3507-3512
  • 8[8]Baba K, Hatada R. Nucl Instr Meth, 1999, B148:69-73
  • 9[9]Malik S M, Fetherston R P, Conrad J R. J Vac Sci Technol, 1997, A15:2875-2879
  • 10[10]Kwok T K, Zeng X C, Chan C, et al. J Appl Phys, 2000, 87:4094-4097

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