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一种新型偏置栅MOS管漂移区表面电压和电场的分析模型 被引量：2

A Novel Analytic Model on Surface Voltage and Electric Field of the Drift of Offset-Gate MOS
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摘要 本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型 ,借助数学推导得到该模型的计算方程 ,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系 。 A novel analytic model on the relationship about the surface voltage and the PN junction electric field with the ion dose in the drift of gate off MOS is presented. The equations are gained by mathematics process. The variety on them can be distinctly seen from the graphs. Some ways to improve breakdown voltage are also discussed.
作者 孙伟锋 吴建辉 陆生礼 时龙兴
机构地区 东南大学国家ASIC系统工程中心
出处 《电子器件》 CAS 2002年第3期292-295,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 偏置栅MOS 漂移区 表面电压 PN结边界电场 offset gate MOS drift surface voltage PN junction electric field
分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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同被引文献11

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引证文献2

二级引证文献3

电子器件
2002年 第3期

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