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用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较 被引量:3

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摘要 本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点 ,及测量结果的比较 。
作者 鲁效明
出处 《计量技术》 2002年第9期8-10,共3页 Measurement Technique
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