抗蚀剂进展

1988年ISCC试制了16兆位随机存取存储器(16MDRAM),线宽达0.5μm,但16MDRAM的光刻照相技术目前仍处于探索阶段,现正研究在制造工艺中使用哪种波长的光源最为有利,诸如g线(436nm),i线(365nm),激态分子激光(248或193nm),x线,电子束等。现将目前开发的抗蚀剂作一简介,以探索今后的方向。 1.抗蚀剂特性硅片等基片涂布抗蚀剂后,经干燥。