期刊文献+

基于PWM技术的欠电压脱扣器研究与设计 被引量:2

下载PDF
导出
摘要 为缩小欠电压脱扣器的体积、降低生产成本,在简要分析了脱扣电磁铁类型的基础上,提出了一种基于Pulse Width Modulation(PWM)控制技术的欠电压脱扣器新方案,对主要电路设计、PWM参数和控制流程等关键问题展开讨论。实验表明,在78 mm×30 mm×35 mm的空间里实现了瞬时或延时欠电压脱扣,动作点准确度达±2 V,可承受1.3倍电网电压老化,通过了4 k V脉冲群考核试验及"万次"疲劳实验。为新一代DW450断路器提供了一种高可靠小型化欠电压脱扣器优选方案。
出处 《电气应用》 北大核心 2014年第24期42-45,共4页 Electrotechnical Application
基金 江苏省自然科学基金项目(BK2013245) 常州市知识产权计划项目(CK20122008)
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献32

  • 1张奇,张科勋,李建秋,欧阳明高.电控柴油机电磁阀驱动电路优化设计[J].内燃机工程,2005,26(2):1-4. 被引量:39
  • 2宋军,李书泽,李孝禄,乔信起,黄震.高速电磁阀驱动电路设计及试验分析[J].汽车工程,2005,27(5):546-549. 被引量:44
  • 3李文卓,颜国正,蔡彬,于云霞.一种新型永磁电动操作机构[J].上海交通大学学报,2007,41(3):492-496. 被引量:3
  • 4张来福.永磁操作机构真空断路器储能电容参数的选择[J].山西电力,2007(2):1-3. 被引量:10
  • 5王兆安,黄俊.电力电子技术[M].4版.北京:机械工业出版社,2004:8-111.
  • 6ZHOU J,XU M,SUN J,et al. A self-driven soft-switching voltage regulator for future microprocessors[J]. IEEE Trans Power Electron, 2005,20 (4) : 806-814.
  • 7XU M,REN Y,ZHOU J,et al. 1-MHz self-driven ZVS fullbridge converter for 48-V power pod and DC/DC brick[J]. IEEE Trans Power Electron,2005,20 (6) :997-1006.
  • 8REN Y,XU M,MENG Y,et al. 12 V VR efficiency improvement based on two-stage approach and a novel gate driver[C]//IEEE Power Electronics Specialists Conference 2005. Recife,Brazil: IEEE. 2005 : 2635-2641.
  • 9HUBER L,HSU K,JOVANOVIC M M,et al. 1.8-MHz,48-V resonant VRM :analysis,design,and performance evaluation [J]. IEEE Trans Power Electron, 2006,21 ( 1 ) : 79-88.
  • 10CHEN Y,LEE F C,AMOROSO L,et al. A resonant MOSFET gate driver with efficient energy recovery[J]. IEEE Trans Power Electron, 2004,19 (2) : 470-477.

共引文献22

同被引文献10

引证文献2

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部