摘要
美国史丹佛大学(Stanford University)的研究人员们在日前举办的2014年国际电子元件会议(IEDM)上展示了真正的3D晶片。大部份的3D晶片采用矽穿孔(TSV)的方式堆叠不同的制造晶片,例如美光科技(Micron Technology)的混合记忆体立方体(HMC)堆叠DRAM晶粒。此外,总部设于美国奥勒冈州的新创公司Be
出处
《电子工业专用设备》
2014年第12期52-53,共2页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
