半导体技术
-
1丁扣宝,张秀淼.产生区宽度W_g＝W－ξW_f中参数ξ的估计[J].半导体技术,1994,10(2):49-50. 被引量：1
-
2丁扣宝,吴滔.半导体少子产生区宽度线性模型的研究[J].微电子学,2004,34(3):289-290. 被引量：1
-
3黄海峰.中国移动 VoLTE杭州首商用背后[J].通信世界,2015,0(23):28-29.
-
4徐敏.中国非接触智能卡制作的排头兵——访北京中安特科技有限公司董事长王永捷[J].中国防伪报道,2006(10):6-8.
-
5汪光裕,邹元燨,S.Benakki,E.Christoffel,A.Goltzene,B.Meyer,C.Schwab.砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为[J].Journal of Semiconductors,1990,11(3):221-226.
-
6陆德仁,朱德光.MOS结构低温负偏压温度不稳定性[J].Journal of Semiconductors,1994,15(4):277-284.
-
7Story,T,许孙曲.Sn1—xGdxTe的磁性和电性[J].国外锡工业,1997,25(1):31-32.
-
8徐金标,葛建华,王新梅.一种新的盲均衡算法[J].通信学报,1995,16(3):78-81. 被引量：26
-
9严建培.新光速激光器的应用前景——访杭州大学王绍民教授[J].今日科技,1997(3):6-7.
-
10朱诗倩,石艳玲.数字电路中NBTI效应仿真及建模方法的研究[J].微电子学,2015,45(2):209-212.
;
