真空电子技术
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1康文运,董桂芳,应根裕,汪键如.内热式液态合金离子源[J].真空电子技术,1997,10(2):25-28. 被引量：1
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2张强基,漆其鸿,曹昭,赵鹏骥,翟国良,牟方明.碳污染对钛膜吸氢能力影响的研究[J].真空科学与技术,1997,17(1):45-50. 被引量：2
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3陈维德,陈宗圭,崔玉德.In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析[J].Journal of Semiconductors,1993,14(7):410-415. 被引量：1
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4杨得全,范垂祯.Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析[J].Journal of Semiconductors,1991,12(7):430-434. 被引量：1
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5陈维德,崔玉德,许振嘉,陶江.Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应[J].Journal of Semiconductors,1990,11(11):859-865. 被引量：3
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6陈维德,H.Bender,H.E.Maes.氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):441-447.
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7金融危机视频会议系统助企业降低成本[J].办公自动化（办公设备与耗材）,2009(6):40-40.
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8陈维德,谢小龙,陈春华,崔玉德,段俐宏,许振嘉.利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触[J].真空科学与技术,1997,17(1):51-55. 被引量：1
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9卫星,周铁城,杨小平,俞鸣人,张翔九,盛篪,王迅.分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)的原位俄歇定量分析[J].红外与毫米波学报,1992,11(2):103-107.
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10陶兆民,夏长虹,潘晓丹,潘峡.GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除[J].电子科学学刊,1989,11(1):107-112.
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