半导体技术
-
1金智,杨树人,安海岩,马春生,王本忠,刘式墉.带有非应变盖层的应变外延层的稳定性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(10):882-887.
-
2江若琏,刘卫平,江宁,胡立群,朱顺明,郑有.SiGe外延层中硼注入和退火[J].半导体光电,1997,18(5):343-345.
-
3材料制备工艺[J].电子科技文摘,1999(8):35-36.
-
4金智,杨树人,马春生,安海岩,王本忠,刘式墉.非应变盖层对应变结构中净应力的影响[J].中国科学(A辑),1999,29(2):172-176.
-
5卢焕明,叶志镇,黄靖云,汪雷,赵炳辉,张昊翔.超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究[J].真空科学与技术,1999,19(1):61-65.
-
6金智,杨树人,安海岩,王本忠,赵方海,刘式墉.位错间的相互作用对应变外延层应变释放的影响[J].固体电子学研究与进展,1998,18(4):437-441.
-
7金华,刘舒,张振中,张立功,郑著宏,申德振.(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程[J].物理学报,2008,57(10):6627-6630. 被引量:1
-
8段瑞飞,王宝强,朱占平,曾一平.低温下应变外延层的单层生长(英文)[J].Journal of Semiconductors,2003,24(4):362-365.
-
9王晓华,单崇新,张振中,张吉英,范希武,吕有明,刘益春,申德振.LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J].发光学报,2003,24(4):371-374.
-
10胡素兴,徐至展.强激光驱动的多阱系统动力学研究[J].中国科学(A辑),1997,27(11):1050-1056.
;