半导体技术
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3李开航,黄美纯,张志鹏,朱梓忠.超晶格(GaAs)_n/(InAs)_1(001)的光学性质[J].Journal of Semiconductors,1999,20(10):851-856. 被引量:2
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4李开航,黄美纯,王仁智.(ZnS)_n/(Si_2)_n(110)超晶格的电子结构和光学性质[J].厦门大学学报(自然科学版),1996,35(6):872-875. 被引量:1
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5吴振宇,汪家友,杨银堂,徐新艳.电子回旋共振等离子体的刻蚀技术[J].真空电子技术,2004,17(2):61-63. 被引量:1
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6Seitaro Matsuo,Mikiho Kiuchi,孙建诚.采用电子回旋共振等离子体的低温CVD方法[J].微电子学与计算机,1989,6(4):18-19.
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7李东临,曾一平.InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析[J].物理学报,2006,55(7):3677-3682. 被引量:2
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8戴宪起,赵振华,宋风忠.立方相CdS能带LMTO计算[J].河南师范大学学报(自然科学版),1998,26(2):26-29.
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9化合物半导体[J].电子科技文摘,1999(8):11-12.
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10李开航,黄美纯.GaAs衬底上(ZnS)_n/(ZnSe)_n(001)超晶格的光学性质[J].量子电子学报,1997,14(5):409-414.
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