真空电子技术
-
1皇甫鲁江,朱长纯.硅锥阴极中电子输运的数值模拟[J].Journal of Semiconductors,1999,20(11):1015-1021. 被引量：2
-
2关辉,朱长纯,刘君华.真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究[J].微电子学,1992,22(4):70-73. 被引量：1
-
3关辉,朱长纯.硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究[J].半导体光电,1993,14(2):148-160.
-
4王浩东.硅锥阴极场致发光显示初探[J].光电技术,2003,44(1):58-61.
-
5淮永进,朱长纯,吴春瑜,李毓民.金属涂敷硅锥阴极的工艺研究[J].电子器件,1994,17(3):51-54. 被引量：1
-
6何野,樊继山,曹国祥.用于半导体器件数值模拟的网格自洽剖分方法[J].Journal of Semiconductors,1991,12(6):373-375.
-
7皇甫鲁江,朱长纯,淮永进.掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响[J].物理学报,2002,51(2):382-388.
-
8袁益让.半导体器件数值模拟的特征有限元方法和分析[J].数学物理学报（A辑）,1993,13(3):241-251. 被引量：27
-
9LI Wei-jun,ZHANG Bo,XU Wen-Lan,LU Wei.Design of violet InGaN light-emitting diode with staggered quantum well structure[J].Optoelectronics Letters,2008,4(6):399-402.
-
10牟强,王秀峰,张麦丽.空穴传输层NPB对OLED性能的影响[J].材料导报,2009,23(2):15-16. 被引量：4
;
