摘要
TN301 02040526半导体量子阱中施主杂质态研究/贺卫国,蔡敏,阮文英(华南理工大学) 华南理工大学学报。-2001,29(12)。-31-33半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d。该文用打靶法求解薛定谔方程,研究施主杂质的能谱随d的变化,发现具有相同角动量的能态具有相似的变化规律。图1表1参3(木)TN301 02040527应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究/刘红侠,郝跃(西安电子科技大学微电子所) 物理学报。-2001,50(9)。-1769-1773分别研究了FN隧穿应力和热空穴(HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性。在这两种应力条件下,应力导致的漏电流(SILC)与时间的关系均服从幂函数关系,但是二者的幂指数不同。热空穴应力导致的漏电流中,幂指数明显偏离-1,热空穴应力导致的漏电流具有更加显著的瞬态特性。研究结果表明:热空穴SILC机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮没。利用热电子注入技术,正电荷辅助隧穿电流可被大大地减弱。图4参10(午)
