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拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响
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摘要
本文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性,分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系,实验结果得出:改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的影响,而拉晶的速度对之影响较小。
作者
孙伯祥
王耀华
机构地区
中国华晶电子集团公司硅材料工厂
出处
《微电子技术》
1995年第4期46-58,共13页
Microelectronic Technology
关键词
氧含量
单晶
拉晶
横向分布
氧分布
等值线
生长方向
强制对流
均匀性
中心点
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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微电子技术
1995年 第4期
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