a-C:F碳:一种坚固的低K材料
出处
《微电子技术》
1999年第3期60-60,共1页
Microelectronic Technology
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1王鹏飞,张卫,王季陶,李伟.用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜[J].微电子技术,2000,28(1):31-36. 被引量:9
-
2高金定,刘雄飞,肖剑荣.半导体技术——低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测[J].中国学术期刊文摘,2008,14(16):6-6.
-
3三菱推出耐用型低绝缘值材料[J].现代电子技术,2004,27(22):116-116.
-
4刘雄飞,张云芳,肖剑荣,李幼真.低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究[J].微细加工技术,2005(2):51-54. 被引量:1
-
5高荣.低K材料在半导体集成电路中的应用与展望[J].集成电路应用,2006,23(8):52-52.
-
6刘雄飞,肖剑荣,李幼真,张云芳.氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究[J].材料导报,2003,17(10):48-50. 被引量:4
-
7R. Kregting,O. van der Sluis,R.A.B. Engelen,W.D. van Driel,G.Q. Zhang.用于后端工艺中铜/低k材料金属去除的实验数值研究(英文)[J].电子工业专用设备,2006,35(9):51-58.
-
8黄峰,程珊华,宁兆元,杨慎东,叶超.真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响[J].物理学报,2002,51(6):1383-1387. 被引量:13
-
9吉时利(Keithley)与Novellus共同开发自动诊断测试系统[J].电子元器件应用,2003,5(6):69-69.
-
10杨慎东,宁兆元,黄峰,程珊华,叶超.a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联[J].物理学报,2002,51(6):1321-1325. 被引量:8
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