FeRAM混合IC卡
出处
《微电子技术》
1999年第4期12-12,共1页
Microelectronic Technology
-
1邹会意,张荣康.在GaAs上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜[J].国外激光,1994(2):35-35.
-
2王传声.混合IC的发展方向——多芯片组件(MCM)[J].电子产品世界,1998,5(6):49-59.
-
3张义忠,蒋建华.卡诺的强介质性液晶显示将成为第二代LCD[J].电视工业（科技版）,1993(5):33-34.
-
4赵虹.GaAs衬底上强介质BaMgF_4膜的形成[J].航天工艺,1997(4):26-29.
-
5余惠.IGBT驱动与保护混合IC的应用[J].集成电路应用,1997,14(1):5-5.
-
6于宗光.适用于模拟及模数混合IC的ESD保护结构[J].电子与封装,2002(1):38-46.
-
7陈江华,张福厚,梁村梅.高性能电子设计自动化领域的多线程技术[J].山东电子,1998(4):34-35.
-
8章从福.富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料[J].半导体信息,2007,0(1):35-35.
-
9新闻[J].电子设计应用,2006(9):139-140.
-
10“模拟＼混合信号IC编辑推荐奖”向国内厂商诚征候选产品[J].电子产品世界,2006,13(12X):16-16.
;
