采用STI和CoSi_2技术的0.15μm CMOS技术
出处
《微电子技术》
1999年第4期34-34,共1页
Microelectronic Technology
-
1李先皇,黄庆红,陆昉,孙恒慧.硼离子注入n型硅的快速退火特性[J].复旦学报（自然科学版）,1993,32(3):261-268.
-
2余山,章定康,黄敞.重掺杂对钛硅化物形成的影响[J].微电子学与计算机,1992,9(2):44-47.
-
3赵杰,刘宝钧,李建蒙.硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究[J].Journal of Semiconductors,1995,16(10):766-771. 被引量：1
-
4关安民,朱南昌.高能硼离子注入硅中的损伤及退火特性[J].上海半导体,1993(1):9-14.
-
5刘德中,薛正镠,许国桢,朱志敔,陆东元.硅中硼离子注入校准样品的研制[J].微细加工技术,1991(1):1-6.
-
6香港搜奇[J].世界发明,2005,27(2):111-111.
-
7林成鲁,周伟,邹世昌,P.L.F.Hemment.SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):470-474.
-
8R.C.Bowman Jr.,R.E.Robertson.,J.F.Knudsen.,吴名权.穿越碲镉汞上PC-SiO_2膜的硼离子注入[J].航空兵器,1997,4(1):40-43.
-
9徐跃,闫锋,李志国,杨帆,王永刚,常建光.Reducing the influence of STI on SONOS memory through optimizing added boron implantation technology[J].Journal of Semiconductors,2010,31(9):21-24.
-
10康一秀,赵渭江,王宇钢,张利春,虞福春.多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布[J].Journal of Semiconductors,1995,16(10):772-778. 被引量：1
