EEPROM单元阈值窗口退化及校正技术

Threshold Window Degradation and Error Correct of EEPROM

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摘要本文首先定性分析陷阱电荷对EEPROM阈值电压窗口，然后给出了一种定量模型。还讨论了采用误差校正技术带来的EEPROM耐久性的提高。 In this paper, the inflection of trapped charges on the threshold window degradationin EEPROM cells is analyzed qulitatively, then a opantitative model is presented.The improvement of error correct on endurance is also discussed.

作者于宗光张国华朱洲

机构地区信息产业部无锡微电子科研中心

出处《微电子技术》 1999年第6期12-18,共7页 Microelectronic Technology

基金江苏省青年科技基金

关键词 EEPROM 阈值电压可靠性误动差校正 EEPROM Threshold Voltage Reliabitity Error correcting

分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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