基于Sentaurus Device的4H-SiC PiN二极管的仿真

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摘要该文通过4H-Si C Pi N二极管的模拟,给4H-Si C Pi N二极管加了一个5V电压,在室温T=300K的情况下分析了4H-Si C Pi N二极管的直流特性和温度特性,从而介绍了Synopsys Inc.开发的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。

作者孙佳哲王磊

机构地区同济大学

出处《电脑知识与技术》 2014年第11X期8034-8037,共4页 Computer Knowledge and Technology

关键词 4H-Si C Pi N二极管 SI Sen Taurus Device

分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]

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