期刊文献+

关键技术对非对称型GCT的影响

原文传递
导出
摘要 在建立GCT器件模型的基础上,利用silvaco软件,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,决定GCT的通态压降的关键因素是缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。
作者 吴琳
出处 《信息与电脑(理论版)》 2010年第6期32-32,34,共2页 China Computer & Communication
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献25

  • 1梁法国,夏曼,刘红兵.高增益硅超高频功率SIT[J].半导体情报,1996,33(4):24-27. 被引量:1
  • 2李秀清.SiGe电路面市[J].半导体情报,1998,35(4):63-63.
  • 3菲利浦半导体公司.菲利浦半导体新型超小型功率开关MOSFET[J].世界电子元器件,1998,(8):45-45.
  • 4何相宁 钱照明.第二届电力电子技术与运动控制会议(IPEMC’97)综述[J].电工技术杂志,1998,(2):46-47.
  • 5(日)佐藤克己.世界最大容量的8kV/3.6kA LCT[J].三菱电机技报,1996,70(3):309-311.
  • 6弓小武,樊昌信,刘玉书.一种新型 MOS 控制功率器件[J].电力电子技术,1997,31(2):88-90. 被引量:2
  • 7Eicher S,Bauer F,Weber A,et al.Punchthrough Type GTO with Buffer Layer and Homogeneous Low Efficiency Anode Structure[Z].IEEE ISPSD,1996.
  • 8Steimer P K,Gruning H E,Werninger J,et al.IGCT-a New Emerging Technology for High Power,Low Cost Inverters[J].IEEE Industry Applications Magazine,1999,5(4):12-18.
  • 9Sven Klaka,et al.The Integrated Gated-Cpmmutated Thyristor:A New High-Efficiency,High-Power Switch for Series or Snubberless Operation[C]//PCIM.1997.
  • 10Grueing.High Performance Low Cost MVA Inverters Realized With Integrated Gate Commutated Thyristors(IGCT)[C]//ABB Conference Proceedings.1999.

共引文献33

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部