摘要
硅抛光片的表面质量,严重影响硅器体和集成电路的性能。为了获得低成本、高成品率、高可估性的硅器件,一方面必须不断改进抛光工艺,提高表面质量,另一方面必须建立硅抛光片表面质量的检测手段。 目前检测硅片抛光质量的方法有下述几种:(1)显微镜下单色光检查;(2)热氧化层错腐蚀法②;(3)MOS结构C-V③。(4)测硅太阳电池的开路电压法④;(5)椭园偏光法鉴定硅表面特征的方法⑤⑥。我们就MOS结构C-V法、热氧化层错腐蚀法以及椭园偏光法做了些工作,今作介绍如下:
出处
《电子器件》
CAS
1981年第3期1-10,共10页
Chinese Journal of Electron Devices
