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分子束外延法及离子束溅射法生长CdTe和HgCdTe膜的比较
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1
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摘要
本文评论关于红外应用的分子束外延(MBE)生长CdTe和HgCdTe膜的现状。MBE方法的实力在于有极好的均匀性、体状霍耳特性和清晰的界面控制。不过,生长方法是复杂的,掺杂难以控制,需要的高汞流量引起了制作方面的问题。本文还叙述离子束溅射法的初步结果,并针对MBE的局限性,讨论这种技术的适用性。
作者
龚琰民
出处
《红外与激光技术》
CSCD
1991年第2期35-46,共12页
关键词
分子束外延
离子束溅射
碲化镉
碲镉汞
晶体生长
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
TN405.984 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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