摘要
在Ga掺杂的SrS:Ce荧光粉膜中，Ga的作用是良好的助熔剂。当在高于750℃的温度下进行快速退火时，用溅射法制成的SrS:Ce,Ga，F膜的晶型由柱形变的球形。此外，晶体的粒径从50nm扩大到500nm。对在800℃时退火的SrS:Ce,Ga，F薄膜的光致发光测试表明该膜的衰减时间为25ns，这说明了Ce离子有效的地掺入了荧光粉中，因而改进了结晶度，使该荧光粉具有了优良的电致发光性能。在具有1.5μm厚的SrS:Ce,Ga,F的薄膜电致发光器件中，在60Hz下，亮度达到了155cd/m^2。此外，在BaTa2O2上绝缘层和SrS:Ce荧光粉层之间加一SiON膜层，器件可以获得高光效，光效达到e40=1.15lm/W。
