期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

980nm半导体激光器可靠性的研究现状分析 被引量：4

The investigation of reliability of 980 nm semiconductor lasers
下载PDF
导出
摘要 本文介绍了提高980nm 半导体激光器可靠性的几种方案,并做了综台评述。进一步介绍了离子辅助镀膜技术在提高980nm激光器可靠性方面的应用。 The paper introduces the methods to improve the reliability of 980 urn semiconductor lasers, and compares the differences of them. Then it introduces the technology of Ion Assisted Diposition(IAD)for improving the reliability of 980 nm semiconductor lasers.
作者 刘斌 张敬明 刘媛媛 王晓薇 方高瞻 马骁宇 肖建伟
机构地区 中国科学院半导体研究所
出处 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1-2,共2页 Laser Journal
关键词 980nm半导体激光器 可靠性 现状 离子辅助镀膜 COD 掺铒光纤放大器 semi conductor lasers, re 1 iab ility, ion assisted deposition, COD
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献2

  • 1徐遵图 徐俊英 等.-[J].中国激光,1998,12:1078-1081.
  • 2陈春华 三佑祥 等.-[J].真空科学与技术，第18卷，增刊,1998,:115-120.

同被引文献16

  • 1舒祥才.半导体激光器可靠性设计考虑[J].半导体光电,1994,15(3):285-289. 被引量：2
  • 2China Technology information Institute. The Reliability of Semiconductor Devices[M]. (Chongqing:Technology Literature Publishing Company) 1977,20.
  • 3A. Moser. Thermodynamics of facet damage in cleaved AIGaAs lasers[J].Appl. Phys.Lett.July 1991,59(5),29:522-524.
  • 4Iain Macmillan. Creating high-power optical coatings is complex[J].Laser Focus World,May 2002,137-144.
  • 5G.Beister, J. Maege, D. Gutsche, G Erber. Simple method for examining sulphur passivation of facets in InGaAs-AIGaAs(0.98μm ) laser diodes[J]. Appl. Phys. Lett.,April 1996,68 (18), 29:2467-2468.
  • 6J.K. Lee,K.H.Park,D.H.Jang, et al. Improvement of Catastrophic Optical Damage(COD)Level for High-Power 0.98μm GaInAs-GaInP Laser Diodes Using Impurity Induced Layer Disordering[J].IEEE Photonics Technology Letters,1998,10(9):1226-1228.
  • 7Jun-ichi Hashimoto, Ichiro Yoshida. A highly reliable GaInAs-GalnP 0.98μm window laser[J].IEEE Journal of Quantum Electronics,January 1997,33(1):971-976.
  • 8Hideyoshi Horie,Hirotala,Ohta,et al.IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics[J].1999,5:832-838.
  • 9Pendse D,et al.Reliability comparison of GaAlAs/GaAs and aluminum-free high power laser diodes[A].Proc.SPIE,1998,3547:79-85.
  • 10Kathy Kincade.Assembly improvement of laser diode array without jointing[J].Laser Focus World,2004.9:20 -21.

引证文献4

二级引证文献14

激光杂志
2002年 第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部