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Preparation of p—n Junction Diode by B—Doped Diamond Film Grown on Si—Doped c—BN 被引量:1

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出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2002年第10期1513-1515,共3页 中国物理快报(英文版)
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参考文献18

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同被引文献6

引证文献1

二级引证文献3

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