摘要
1 引言第四届全国抗辐射电子学学术会议于1991年3月上旬在西安临潼召开。来自机电部、航空航天部、中国工程物理研究院、中科院及部分高等院校等28个单位90多位专家参加了学术论文报告会。物理学家赖祖武教授主持这次学术会议,著名核物理学家程开甲、俞大光出席会议并作了重要讲话。会议开始,赖祖武教授作了“抗辐射电子学十年回顾”的报告。抗辐射专家组乔登江、王长河等专家分别作了“电子元器件抗辐射加固研究进展”及“新型半导体器件抗辐射性能剖析”等特邀报告。学术报告会共分为三个分会场进行。
出处
《半导体情报》
1991年第4期63-64,F003,共3页
Semiconductor Information