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三值NMOS电路输出级的改进设计

Improved Design of Ternary NMOS Output Circuit
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摘要 本文分析了传统的以耗尽型晶体管作负载的多值NMOS电路工作速度低及驱动能力差的原因,并根据NMOS晶体管对信号的传输特性提出了三值NMOS电路输出级的改进设计.以三值NMOS反相器设计为例,用SPICE-Ⅱ进行计算机模拟比较.结果表明,本文所设计的电路较传统设计具有工作速度高,驱动能力强等优点. This paper analyses the cause that the traditional multiple-valued NMOS circuits with depletion N-MOSFET as load have low speed and low driving power. An improved design of ternary NMOS output circuit is proposed based on the signal transmission characteristics of the N-MOSFET. Taking the ternary NMOS inverter as an example, we have made computer simulation with SPICE-Ⅱ. The results show that the circuit designed in this paper has higher speed and better driving power than that of the traditional one.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期291-294,共4页 Research & Progress of SSE
基金 浙江省教委资助项目
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