北京大学微电子学研究院——知识创新 成果卓著

北京大学微电子学研究院的前身是1956年由著名物理学家黄昆院士领导在北大物理系创建的我国第一个半导体专门化机构,七十年代研制出我国第一块硅栅N沟道1K MOS DRAM,是我国微电子科学技术史上的重要里程碑之一,曾荣获全国科学技术大会奖。自八十年代以来,在微电子学家王阳元院士的领导下,该学科点有了很大的发展,目前已经成为我国微电子领域高层次人才培养和科学研究的的重要基地之一。