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原位低温激光淀积高T_c超导薄膜
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摘要
本文利用激光剥离超导靶材的技术,在衬底温度低于600℃的条件下,原位生长出零电阻温度达92K,临界电流密度~10~5 A/cm^2(77K时),晶体结构为c轴垂直于表面择优取向的优质钇钡铜氧化物超导薄膜.研究了制备条件——激光参数、氧气环境、基片温度和沉积时间等对所长成薄膜的超导性能的影响,并对造成影响的原因进行了讨论。
作者
安承武
范永昌
陆冬生
李再光
机构地区
华中理工大学激光技术国家重点实验室
出处
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
1991年第6期521-524,共4页
基金
高等学校博士学科点专项科研基金
关键词
激光淀积
超导薄膜
原位生长
分类号
O484 [理学—固体物理]
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自然科学进展(国家重点实验室通讯)
1991年 第6期
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