展望2002年化合物半导体
出处
《现代材料动态》
2002年第11期1-2,共2页
Information of Advanced Materials
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1何君.可达到40Gb/s的材料选择:SiGe与GaAs和InP的比较[J].半导体情报,2001,38(6):8-12.
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2邓志杰.先进的通信器件需求驱动化合物半导体市场[J].现代材料动态,2003(2):3-5.
-
3符正威.SiGe/CMOS/GaAs技术评价[J].集成电路通讯,2001(2):38-38.
-
4章其麟,任永一.MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J].上海半导体,1994(1):15-18.
-
5屠海令.半导体材料稀土掺杂的理论及应用[J].稀有金属,1996,20(1):39-44. 被引量：1
-
6杨英惠.移动电话市场中硅和SiGe的竞争[J].现代材料动态,2002(7):8-8.
-
7半导体材料竞争无线应用领域[J].电子产品世界,2001,8(10):54-56.
-
8陈培毅,王吉林.SiGe新技术及其应用前景[J].电子产品世界,2002,9(07A):52-53. 被引量：1
-
9一丁.等离子体处理对InP上氧化物生长和电性能的影响[J].等离子体应用技术快报,1994(11):14-15.
-
10朱泳,刘艳红,魏希文,沈光地,陈建新,邹德恕.SiGe材料及其在半导体器件中的应用[J].半导体技术,2001,26(8):70-73. 被引量：3
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