IEMN制出最大振荡频率的MHEMT
出处
《现代材料动态》
2002年第11期14-14,共1页
Information of Advanced Materials
-
1孙逸帆,王婷霞,徐鑫,朱光耀,和新阳.空间应用Ka频段MHEMT单片低噪声放大器设计[J].空间电子技术,2012,9(4):67-70. 被引量:1
-
2张健,王磊,王维波,程伟,康耀辉,陆海燕,李欧鹏,谷国华,王志刚,徐锐敏.W波段单片低噪声放大器[J].微波学报,2014,30(S1):113-115. 被引量:1
-
3胡大德.录像机改N制的处理方法(三)[J].家庭电子,1995(6):10-10.
-
4王永支.给夏普IX0195彩电加N制接收[J].电视机维修,1996(2):26-27.
-
5金国钧.HFC双向数据传输系统[J].中国有线电视,2001(13):19-32.
-
6黎明,张海英,徐静波,付晓君.Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate[J].Journal of Semiconductors,2008,29(12):2331-2334.
-
72015飞傲秋季新品媒体沟通会[J].高保真音响,2015,0(10):105-105.
-
8孙皓.日趋盛行的入耳式耳塞(上)[J].实用影音技术,2007(9):70-74.
-
9刘杰,蒋均,石向阳,田遥岭.一种D波段低噪声放大器芯片设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(5):653-656.
-
10李献杰,敖金平,曾庆明,刘伟吉,徐晓春,刘式墉,梁春广.GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):235-237. 被引量:2
;