掺杂Os_(1-x)M_xSi_2(x=0.0625)(M=Re、Ir)的电子结构研究

本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波的方法,对OsSi_2晶胞的理论模型分别掺入Re和Ir原子,并对掺杂后的电子结构进行了理论计算。理论计算结果显示:1)Re和Ir两种杂质的掺入都使得OsSi_2晶胞的体积有所改变,造成了晶格畸变;2)系统总能量的计算表明Re、Ir掺杂时倾向于置换OsSi_2的OsII位置;Re的掺入使得OsSi_2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Ir则使得OsSi_2的费米面向导带移动,形成了N型半导体。