MOCVD生长AlN的化学反应分析

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摘要本文总结了MOCVD反应器中,由TMAl和NH_3为反应源生长AlN时出现的气相反应、表面反应及化学沉积中的寄生反应。

作者王丹时亚茹袁罗

机构地区重庆能源职业学院

出处《山东工业技术》 2017年第8期235-235,共1页 Journal of Shandong Industrial Technology

基金重庆市教委科学技术研究项目(KJ1505502)

关键词 ALN 气相反应表面反应寄生反应

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山东工业技术

2017年第8期

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