期刊文献+

Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:1

Research progress of Cu_2Zn Sn(S,Se)_4 thin film solar cells
下载PDF
导出
摘要 锌黄锡矿结构的Cu_2Zn Sn(S,Se)_4(CZTSSe)材料,由于具有价格低廉、带隙合适、吸光系数高等优良光电性能,很适合作为新一代无机薄膜太阳能电池的吸光层材料,已受到各国科研人员的高度关注。国内外采用多种沉积薄膜技术来制备CZTSSe吸光层材料,主要包括真空和非真空方法。综述了最近CZTSSe太阳能电池制备技术所取得的一些进展,尤其对采用溶液法制备CZTSSe太阳能电池的发展现状做了重点阐述。展望了CZTSSe太阳能电池的发展趋势。 The kesterite-structured semiconductors Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)have gained much attention as a promising absorber materials for next generation thin film solar cells due to its low material cost,suitable band gaps and high absorption coefficient.Numerous deposition approaches are reported to fabricate CZTSSe absorber layers,which mainly include vacuum and non-vacuum processes.The recent progress of different techniques of fabricating CZTSSe solar cells is summarized in details.The solution-based deposition route to prepare CZTSSe nanocrystal thin films is highlighted specially.In addition,the research trends of CZTSSe solar cells are prospected.
作者 王艳玲 郭洪玲 王刚 李岳姝 王艳梅 WANG Yanling;GUO Hongling;WANG Gang;LI Yueshu;WANG Yanmei(Department of Environmental Engineering, Heilong Jiang Institute of Technology, Jixi 158100, Heilongjiang Province, China;State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry Chinese Academy of Sciences, Changchun 130022, China)
出处 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第6期1-7,共7页 Electronic Components And Materials
关键词 CZTSSe 锌黄锡矿 综述 薄膜太阳能电池 吸光层 溶液法 真空法 CZTSSe kesterite review thin film solar cells absorber solution-based process vacuum processes
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献12

  • 1工业和信息产业化部,太阳能光伏产业“十二五”发展规划[R].2012.
  • 2T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya, Solar photovoltaic electricity: Current status and future prospects[J]. Solar Energy, 2011, 85:1580-1608.
  • 3Green, M. A. Silicon Solar Cells: Advanced Principles and Prac- tice[M]. Bridge Printery, Sydney 1995.
  • 4长谷部明男,村上勉等.光电元件及其制造方法[P].中国专利,N0:CNll31824A,1996-09-25.
  • 5丹尼尔·L·迈耶.一种铝合金结自对准背接触硅太阳电池的结构和制造工艺[P].中国专利,NO:1158011A,1997-08-27.
  • 6A·休格纳德等.多孔层、它的生产方法及其应用[P].中国专利,NO:CNl01626989A,2010-01-13.
  • 7季静佳,施正荣.玻璃的二氧化硅膜织构化[P].中国专利,N0:CNl325550A,2001-12-05.
  • 8季静佳,施正荣等.处理半导体薄膜的方法及利用此方法所制造的半导体器件[P].中国专利,NO;CNl236481A,1999-11-24.
  • 9西元智纪.光生伏打器件、光电换能器及其制造方法[P].中国专利,NO:CNll91395A,1998-08-2:6.
  • 10J·布里西亚等.建筑物集成发电系统、方法及其组件[P].中国专利,NO:CNl02273060A,2011-12-07.

共引文献2

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部